随着 9 月份苹果秋季发布会的临近，关于下一代 iPhone 的消息成了一部谍战剧，各种或真或假的谍照被接连曝出。

我们昨天刚刚看到了 iPhone 6s 的外壳，猜测可能和 iPhone 6 相比，外观变化不大。而今天关于 iPhone 6s 内部的相关信息也被曝了出来。

据 9to5Mac 的消息，有相关人士透露，新一代的 iPhone 在配备的 LTE 芯片上进步会非常明显。

从泄露的主板图来看，新一代 iPhone 采用的基带芯片为高通 MDM9635M 。理论上，下载速度能达到 300Mbps，是现在 iPhone 6/6 Plus 的两倍；上行速度则变化不大，与 iPhone 6/6 Plus 相似，仍旧是 50Mbps。

MDM9635M 是高通于 2013 年底推出的芯片，是世界上第一款支持 LTE Cat.6 的基带芯片。网络制式方面则支持 FDD-LTE/TDD-LTE/HSPA+/WCDMA/TD-SCDMA/CDMA/GSM 等 4G/3G/2G 制式。

之前，该芯片已被应用于三星 S5 Prime 之上。使用了 MDM9635M 的 S5 Prime 在韩国运营商 LTE-A 网络的支持下，实际的下行速度能达到 225Mbps。

高通的基带芯片一直颇受手机厂家的欢迎，即使是自有 A 系列处理器的苹果也不例外。最近几代 iPhone 都采用了高通的基带芯片。比如 iPhone 5 采用的是 MDM9615，iPhone 6 采用的是 MDM9625M，两者均采用 28 纳米工艺制造。相比前两者，新一代的 MDM9635M 采用了更先进的 20 纳米工艺，更为省电的同时发热控制也更棒。

不过，支持 Cat.6 的 MDM9635M 相比现在的众多 Android 旗舰配备的基带芯片来说已经较为落后了，骁龙 810 所搭配的基带已经支持 Cat.9 ，理论网速可达 450Mbps。

夏天已经来了，秋季发布会还会远吗？

至于新一代 iPhone 的网络实际表现如何，还是得发布之后才能知晓。

当然，新一代 iPhone 基带芯片带来的网速提升，由于必须得有运营商的支持。所以，这个进步对中国消费者们来说，并没有什么 X 用。

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